[发明专利]用于离子注入的装置和方法在审
| 申请号： | 201611116107.8 | 申请日： | 2016-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN106856159A | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | J·G·拉文;M·杰里纳克;H-J·舒尔策;W·舒斯特德 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01L21/67;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 郑立柱,张昊 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于离子注入的装置和方法。在一个实施例中，该装置包括接受器，被配置为支持晶片；掺杂源，被配置为向晶片的注入区域选择性地提供掺杂剂；以及辐射源，被配置为选择性地辐射注入区域。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 离子 注入 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种用于向晶片中注入离子的装置，所述装置包括：接受器，被配置为支持所述晶片；掺杂源，被配置为选择性地向所述晶片的注入区域提供掺杂剂；以及辐射源，被配置为选择性地辐射所述注入区域。
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