[发明专利]用于离子注入的装置和方法

权利要求书

1.一种用于向晶片中注入离子的装置，所述装置包括：

接受器，被配置为支持所述晶片；

掺杂源，被配置为选择性地向所述晶片的注入区域提供掺杂剂；以及

辐射源，被配置为选择性地辐射所述注入区域。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述辐射源被配置为发射将被所述注入区域中的所述晶片吸收的电磁波。

3.根据权利要求1所述的装置，还包括：控制单元，被配置为控制所述辐射源以提供将被所述注入区域中的所述晶片吸收的预定量的能量。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述控制单元被配置为控制所述辐射源以在预定持续时间期间提供所述预定量的能量。

5.根据权利要求3所述的装置，其中所述控制单元被配置为基于所述注入区域中的所述晶片的比热容控制所述辐射源。

6.根据权利要求3所述的装置，其中所述控制单元被配置为控制所述辐射源以在所述注入区域的方向上提供辐射，同时所述掺杂源向所述注入区域提供所述掺杂剂。

7.根据权利要求1所述的装置，还包括检测器，被配置为检测所述注入区域中的所述晶片的表面温度。

8.根据权利要求7所述的装置，其中所述检测器被配置为接收从所述晶片的表面发射的电磁辐射。

9.根据权利要求7所述的装置，还包括控制单元，其中所述控制单元被配置为基于检测为所述注入区域中的所述晶片的表面温度的温度来控制所述辐射源。

10.根据权利要求1所述的装置，其中所述辐射源为卤素灯、发光二极管或激光源中的至少一个。

11.根据权利要求1所述的装置，其中所述接受器被配置为冷却所述晶片。

12.一种用于向晶片中注入离子的装置，所述装置包括：

接受器，被配置为支持所述晶片；

掺杂源，被配置为选择性地向注入区域提供掺杂剂；以及

辐射源，被配置为在所述注入区域的方向上选择性地提供辐射。

13.一种用于向晶片中注入离子的方法，所述方法包括：

提供晶片；

在所述晶片的预定注入区域中选择性地提供掺杂剂；以及

在所述晶片的预定注入区域中选择性地提供辐射。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述辐射的至少一部分被所述晶片吸收。

15.根据权利要求14所述的方法，还包括：控制所述辐射源，以提供将被所述预定注入区域中的所述晶片吸收的特定量的能量。

16.根据权利要求15所述的方法，其中控制所述辐射源包括：控制所述辐射源以在所述注入区域的方向上提供辐射，同时所述掺杂剂被提供给所述注入区域。

17.根据权利要求13所述的方法，还包括：检测所述预定注入区域中的所述晶片的温度。

18.根据权利要求17所述的方法，还包括：

接收从所述晶片的表面发射的电磁辐射；以及

基于从所接收的电磁辐射中得到的信号来检测所述晶片的温度。

19.根据权利要求18所述的方法，还包括：基于所述注入区域中的所述晶片的温度来控制所述辐射源。

20.根据权利要求19所述的方法，还包括：

控制所述辐射源，以在预定持续时间期间提供特定量的能量；以及

基于所述注入区域中的所述晶片的比热容来控制所述辐射源。

21.根据权利要求13所述的方法，其中所述晶片可移动地固定至从由玻璃载体和箔载体组成的组中选择的至少一个载体。