[发明专利]用于金属线的CMP浆料组合物及使用其的抛光方法有效
| 申请号： | 201611114783.1 | 申请日： | 2016-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN106883767B | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 李昭滢;都均奉;金东珍;安江洙;郑荣哲 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 张英;宫传芝 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本申请公开了一种用于金属线的CMP浆料组合物及使用其的抛光方法，具体涉及用于抛光金属线的CMP浆料组合物及使用其的抛光方法。该CMP浆料组合物包含抛光颗粒、氧化剂、络合剂、腐蚀抑制剂和去离子水，其中，腐蚀抑制剂包含选自由亚硝酸盐和硝酸铵组成的组中的至少一种无机腐蚀抑制剂。 | ||
| 搜索关键词： | 腐蚀抑制剂 抛光 金属线 氧化剂 抛光金属 抛光颗粒 去离子水 亚硝酸盐 络合剂 硝酸铵 申请 自由 | ||
【主权项】：
1.一种用于抛光金属线的化学机械抛光浆料组合物，包含：抛光颗粒；氧化剂；络合剂；腐蚀抑制剂；和去离子水，其中，所述腐蚀抑制剂包含选自亚硝酸盐、或者亚硝酸盐和硝酸铵的组合中的至少一种无机腐蚀抑制剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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