[发明专利]具有高耐压特性的集成电路等离子体保护结构及形成方法

摘要

本发明提供一种具有高耐压特性的集成电路等离子体保护结构及其形成方法，包括：衬底以及形成于衬底中的第一二极管、第二二极管和金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第一二极管与所述第二二极管同向串联形成串联二极管组，所述串联二极管组一端连接所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极。在本发明提供的具有高耐压特性的集成电路等离子体保护结构及其形成方法中，通过将形成的串联二极管组的一端连接所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极，使金属氧化物半导体场效应晶体管在电荷的向导通时通过所述串联二极管组排走，避免由于电荷造成的损伤，并使金属氧化物半导体场效应晶体管具有较高的反偏击穿电压的特性。

主权项

1.一种具有高耐压特性的集成电路等离子体保护结构，其特征在于，包括：衬底以及形成于衬底中的第一二极管、第二二极管和金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第一二极管与所述第二二极管同向串联形成串联二极管组，所述串联二极管组的一端连接所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极；所述串联二极管组的另一端与所述金属氧化物半导体场效应晶体管共用衬底中的掺杂区；/n以及，所述衬底中形成有第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，所述第二掺杂区和第三掺杂区并置排列，所述第一掺杂区形成于第二掺杂区中；/n所述第一掺杂区中形成有第四掺杂区，所述第一掺杂区和第四掺杂区共同构成所述第一二极管；所述第二掺杂区与第三掺杂区共同构成所述第二二极管；/n所述第三掺杂区中形成有源极区和漏极区，在所述第三掺杂区上形成有栅极区，所述源极区、漏极区和栅极区共同构成所述金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第四掺杂区与所述栅极区连接；/n所述第三掺杂区中形成有第五掺杂区，所述第三掺杂区和第五掺杂区的导电类型相同。/n