[发明专利]一种高质量量子点荧光薄膜材料及其制备方法

摘要

本发明涉及一种高质量量子点荧光薄膜材料及其制备方法，制备方法为：先制备量子点溶液；再制备聚合物，并向聚合物中加入量子点溶液，置于模具中冷却固化后得到聚合物‑量子点块材；最后将聚合物‑量子点块材进行机械切割，调整切割参数，即可获得不同厚度、致密的量子点荧光薄膜；将制备的量子点荧光薄膜贴覆上薄膜保护层，即制成高质量量子点荧光薄膜材料。通过本发明提供的一种高质量量子点荧光薄膜材料及其制备方法，所制备的高质量量子点荧光薄膜材料具有产率高，稳定性好，发光强度均匀，色域广，安全环保，厚度可控、致密性好，机械强度高等优点，并且该方法简单实用，可操作性强，适合量子点荧光薄膜的大批量制备。

主权项

1.一种高质量量子点荧光薄膜材料的制备方法，其特征在于：步骤一、制备量子点溶液；步骤二、制备聚合物，并向聚合物中加入步骤一制备的量子点溶液后，置于模具中冷却固化，即得到聚合物‑量子点块材；步骤三、将聚合物‑量子点块材进行机械切割，调整切割参数，即获得不同厚度的量子点荧光薄膜；步骤四、将步骤三制备的量子点荧光薄膜贴覆上薄膜保护层，即制成高质量量子点荧光薄膜材料；所述量子点溶液为Mn：ZnSe掺杂量子点溶液，其制备方法为：取硬脂酸锰溶于十八烯中加热至100℃，得到溶液A；取硬脂酸锌、硬脂酸和十八烯溶解后得到溶液B；取硒粉、十八烯和油胺于容器中，加热至100℃，抽气20min，再通入氩气，升温至260℃至硒粉溶解，继续升温至275℃注入溶液A；进一步降温至260℃保温一段时间以生长MnSe；然后降温至240℃注入溶液B，反应2h后自然冷却至室温，即得到Mn：ZnSe掺杂量子点；其中，聚合物‑量子点块材为聚合物‑Mn：ZnSe掺杂量子点块材，其制备方法为：取100～500重量份的聚合物单体置于容器中,加入1～100重量份引发剂，在室温下以200～1000r/min转速搅拌10min～1h至引发剂完全溶解；进一步加热至20～200℃，保温10min～5h让聚合物单体发生聚合反应；向发生聚合反应的聚合物中加入1～200重量份的Mn：ZnSe掺杂量子点溶液，进行搅拌，再抽气10min～30min，继续在20℃～200℃下保温30min～5h，置于模具中冷却固化，即得到聚合物‑Mn：ZnSe掺杂量子点块材；其中，所述聚合物单体为甲基丙烯酸甲酯，所述聚合物‑Mn：ZnSe掺杂量子点块材为聚甲基丙烯酸甲酯‑Mn：ZnSe掺杂量子点块材，所述引发剂为过氧化苯甲酰。