[发明专利]一种高质量量子点荧光薄膜材料及其制备方法

权利要求书

1.一种高质量量子点荧光薄膜材料的制备方法，其特征在于：

步骤一、制备量子点溶液；

步骤二、制备聚合物，并向聚合物中加入步骤一制备的量子点溶液后，置于模具中冷却固化，即得到聚合物-量子点块材；

步骤三、将聚合物-量子点块材进行机械切割，调整切割参数，即获得不同厚度的量子点荧光薄膜；

步骤四、将步骤三制备的量子点荧光薄膜贴覆上薄膜保护层，即制成高质量量子点荧光薄膜材料；

所述量子点溶液为Mn：ZnSe掺杂量子点溶液，其制备方法为：

取硬脂酸锰溶于十八烯中加热至100℃，得到溶液A；取硬脂酸锌、硬脂酸和十八烯溶解后得到溶液B；

取硒粉、十八烯和油胺于容器中，加热至100℃，抽气20min，再通入氩气，升温至260℃至硒粉溶解，继续升温至275℃注入溶液A；进一步降温至260℃保温一段时间以生长MnSe；然后降温至240℃注入溶液B，反应2h后自然冷却至室温，即得到Mn：ZnSe掺杂量子点；

其中，聚合物-量子点块材为聚合物-Mn：ZnSe掺杂量子点块材，其制备方法为：

取100～500重量份的聚合物单体置于容器中,加入1～100重量份引发剂，在室温下以200～1000r/min转速搅拌10min～1h至引发剂完全溶解；进一步加热至20～200℃，保温10min～5h让聚合物单体发生聚合反应；

向发生聚合反应的聚合物中加入1～200重量份的Mn：ZnSe掺杂量子点溶液，进行搅拌，再抽气10min～30min，继续在20℃～200℃下保温30min～5h，置于模具中冷却固化，即得到聚合物-Mn：ZnSe掺杂量子点块材；

其中，所述聚合物单体为甲基丙烯酸甲酯，所述聚合物-Mn：ZnSe掺杂量子点块材为聚甲基丙烯酸甲酯-Mn：ZnSe掺杂量子点块材，所述引发剂为过氧化苯甲酰。

2.根据权利要求1所述的一种高质量量子点荧光薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤四中，薄膜保护层的制备方法为：将步骤三制备的量子点荧光膜清洁干燥后，进行除静电处理，然后贴上光学胶并送入真空机中除泡；同时将裁剪好的PET膜保护层表面依次清洁、干燥、上胶后，将量子点荧光膜和PET膜保护层机械定位后贴合，即完成高质量量子点荧光薄膜材料的制备。

3.根据权利要求1所述的一种高质量量子点荧光薄膜材料的制备方法，其特征在于，聚合物-Mn：ZnSe掺杂量子点块材为聚甲基丙烯酸甲酯-Mn：ZnSe掺杂量子点块材，其制备方法为：

取甲基丙烯酸甲酯作为聚合物单体置于容器中，加入过氧化苯甲酰，在室温下以1000r/min转速搅拌1h，使得过氧化苯甲酰溶解在甲基丙烯酸甲酯中；

进行水浴加热，当温度达到50℃时保温30min，再升温至70℃保温40min，继续升温至85℃保温30min，以制备聚甲基丙烯酸甲酯聚合物；进一步向容器中加入Mn：ZnSe掺杂量子点溶液，进行搅拌，再抽气30min，在温度为50℃下搅拌1h后，置于模具中冷却固化，即得到聚甲基丙烯酸甲酯-Mn：ZnSe掺杂量子点块材。

4.根据权利要求1任一项所述的一种高质量量子点荧光薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述搅拌方式为机械搅拌或磁力搅拌；所述加热方式为水浴加热、油浴加热、沙浴加热、电磁加热、微波加热中的一种或者多种组合。

5.根据权利要求1所述的一种高质量量子点荧光薄膜材料的制备方法，其特征在于：制备薄膜保护层的材料具有高透光性与水氧阻隔性，为PVC、PET、PP、PS、ABS、环氧树脂、聚氨酯中的一种或多种；使用旋涂、流延、喷涂、提拉或者贴合的方法在量子点薄膜上贴覆薄膜保护层。

6.一种采用如权利要求1-5任一项所述的一种高质量量子点荧光薄膜材料的制备方法所制备的高质量量子点荧光薄膜材料。