[发明专利]一种无DRAM的FTL读缓存管理方法及装置在审
| 申请号： | 201611106041.4 | 申请日： | 2016-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN106775466A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 梁启峰 | 申请（专利权）人： | 深圳市金泰克半导体有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所44242 | 代理人： | 冯筠 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种无DRAM的FTL读缓存管理方法及装置，适用于基于闪存的固态硬盘领域。该读缓存管理方法包括建立包括一一对应的逻辑页地址与物理页地址的缓存数据列表；接收读请求，并判断是否命中缓存；若命中缓存，则根据缓存数据列表中的物理页地址直接读取目标数据。与现有技术相比，本发明的有益技术效果在于本发明的读缓存管理方法，利用SSD控制器内部的SRAM建立缓存数据列表来缓存NAND闪存的物理页地址的方法，来实现类似于传统的读缓存，可增强预读效果，减少FTL映射表调度的频率及次数，提高无DRAM的SSD的读性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dram ftl 缓存 管理 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种无DRAM的FTL读缓存管理方法，其特征在于，所述读缓存管理方法包括：建立包括一一对应的逻辑页地址与物理页地址的缓存数据列表；接收读请求，并判断是否命中缓存；若命中缓存，则根据缓存数据列表中的物理页地址直接读取目标数据。
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