[发明专利]一种无DRAM的FTL读缓存管理方法及装置在审

专利信息
申请号: 201611106041.4 申请日: 2016-12-05
公开(公告)号: CN106775466A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 梁启峰 申请(专利权)人: 深圳市金泰克半导体有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 深圳市精英专利事务所44242 代理人: 冯筠
地址: 518000 广东省深圳市龙华新*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 dram ftl 缓存 管理 方法 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及计算机技术领域,特别是基于NAND FLASH(即NAND型闪存)的固态硬盘领域,具体涉及一种无DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器)的FTL(Flash translation layer,闪存转换层)读缓存管理方法及装置。

背景技术

目前SSD(Solid State Drives,固态硬盘)系统中有相当部分是存在DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器)的,所以SSD有较大的数据缓存空间用来缓存数据。但目前也有一部分SSD控制器不支持外带DRAM,仅仅有一个较小的内部SRAM(Static Random Access Memory,静态随机存取存储器),这就大大限制了SSD内部的缓存数量,导致采用现有的缓存管理方法只能缓存较少的数据,降低了缓存的效果。尤其是当没有DRAM时一般FTL(Flash trans lation layer,闪存转换层)中的映射表是存储在FLASH(闪存)中的,只有在使用的时候才分段调度到SRAM中,当映射表在SRAM中时会根据缓存策略,读取一部分数据到缓存中,如果下次再读取命中缓存,则直接从缓存中读取数据。在映射表使用完成后为了节省SRAM的空间,会从SRAM中放弃或回写过时的映射表。这种传统的方法是通过缓存数据的方式来使用缓存空间的。由于SRAM的空间有限,能缓存的数据量是非常有限的,同时由于映射表可能不在SRAM中又需要调度相应的映射表,因此,在一定程度上降低了无DRAM的SSD读性能。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种无DRAM的FTL读缓存管理方法及装置。可增强预读效果,减少FTL映射表调度的频率及次数,提高无DRAM的SSD的读性能。

为解决上述技术问题,本发明提供采用如下所述的技术方案:

一种无DRAM的FTL读缓存管理方法,包括:建立包括一一对应的逻辑页地址与物理页地址的缓存数据列表;接收读请求,并判断是否命中缓存;若命中缓存,则根据缓存数据列表中的物理页地址直接读取目标数据。

一种无DRAM的FTL读缓存管理装置,其特征在于,所述读缓存管理装置建立模块、判断模块和读取模块。其中,建立模块,用于建立包括一一对应的逻辑页地址与物理页地址的缓存数据列表;判断模块,用于接收读请求,并判断是否命中缓存;第一读取模块,用于根据缓存数据列表中的物理页地址读取目标数据。

与现有技术相比,本发明的有益技术效果在于:本发明的读缓存管理方法,利用SSD控制器内部的SRAM建立缓存数据列表来缓存NAND FLASH物理页地址的方法,来实现类似于传统的读缓存,可增强预读效果,减少FTL映射表调度的频率及次数,提高无DRAM的SSD的读性能。

附图说明

图1为本发明一个实施例中的一种无DRAM的FTL读缓存管理方法的流程示意图;

图2为本发明另一个实施例中的一种无DRAM的FTL读缓存管理方法的流程示意图;

图3为本发明一个实施例中一种无DRAM的FTL读缓存管理装置结构示意图。

具体实施方式

为使本领域的普通技术人员更加清楚地理解本发明的目的、技术方案和优点,以下结合附图和实施例对本发明做进一步的阐述。

参见图1,为本发明一个实施例中提供的一种无DRAM的FTL读缓存管理方法的流程示意图。在本发明一些实施例中,所述读缓存管理方法包括:

S101、建立包括一一对应的逻辑页地址与物理页地址的缓存数据列表,所述缓存数据列表建于SRAM中。

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