[发明专利]一种无DRAM的FTL读缓存管理方法及装置在审
申请号: | 201611106041.4 | 申请日: | 2016-12-05 |
公开(公告)号: | CN106775466A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 梁启峰 | 申请(专利权)人: | 深圳市金泰克半导体有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所44242 | 代理人: | 冯筠 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙华新*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 dram ftl 缓存 管理 方法 装置 | ||
1.一种无DRAM的FTL读缓存管理方法,其特征在于,所述读缓存管理方法包括:
建立包括一一对应的逻辑页地址与物理页地址的缓存数据列表;
接收读请求,并判断是否命中缓存;
若命中缓存,则根据缓存数据列表中的物理页地址直接读取目标数据。
2.如权利要求1所述的读缓存管理方法,其特征在于,若没有命中缓存,所述读缓存管理方法包括:
根据逻辑页地址查询映射表得到对应的物理页地址;
根据查询映射表得到的物理页地址读取目标数据;
从映射表中复制与读请求对应的逻辑页地址以及物理页地址,将其添加到缓存数据列表中。
3.如权利要求2所述的读缓存管理方法,其特征在于,若映射表不在SRAM中,所述根据逻辑页地址查询映射表得到对应的物理页地址之前包括:根据读请求中携带的逻辑页地址将与之相应的映射表调度到SRAM中。
4.如权利要求2所述的读缓存管理方法,其特征在于,若缓存数据列表已满,所述从映射表中复制与读请求对应的逻辑页地址以及物理页地址,将其添加到缓存数据列表中之前包括:根据缓存替换算法选择并删除缓存数据列表中的一个逻辑页地址以及与该逻辑页地址对应的物理页地址。
5.如权利要求1-4任一项所述的读缓存管理方法,其特征在于,所述读缓存管理方法包括:
若对读取的数据进行写操作,将与读命令对应的逻辑页地址以及物理页地址从缓存数据列表中删除;
从更新后的映射表复制与读命令对应的逻辑页地址以及物理页地址,并将其添加到缓存列表中。
6.一种无DRAM的FTL读缓存管理装置,其特征在于,所述读缓存管理装置建立模块、判断模块和读取模块;其中,
建立模块,用于建立包括一一对应的逻辑页地址与物理页地址的缓存数据列表;
判断模块,用于接收读请求,并判断是否命中缓存;
第一读取模块,用于根据缓存数据列表中的物理页地址读取目标数据。
7.如权利要求6所述的读缓存管理装置,其特征在于,所述读缓存管理装置还包括:
查询模块,用于若读请求没有命中缓存,根据读请求中携带逻辑页地址查询映射表得到对应的物理页地址;
第二读取模块,用于若读请求没有命中缓存,根据查询映射表得到的物理页地址读取目标数据;
第二添加模块,用于若读请求没有命中缓存,从映射表中复制与读请求对应的逻辑页地址以及物理页地址,将其添加到缓存数据列表中。
8.如权利要求7所述的读缓存管理装置,其特征在于,所述读缓存管理装置还包括:调度模块,用于若读请求没有命中缓存,且SRAM中不存在包括与读请求对应的逻辑页地址的映射表,根据读请求中携带的逻辑页地址将与之相应的映射表调度到SRAM中。
9.如权利要求7所述的读缓存管理装置,其特征在于,所述读缓存管理装置还包括:
第二删除模块,用于若读请求没有命中缓存,且缓存数据列表此时已满,根据缓存替换算法选择并删除缓存数据列表中的一个逻辑页地址以及与该逻辑页地址对应的物理页地址。
10.如权利要求6-9任一项所述的读缓存管理装置,其特征在于,所述读缓存管理装置还包括:
第一删除模块,用于若对读取的目标数据进行了写操作,将与读请求对应的逻辑页地址以及物理页地址从缓存数据列表中删除;
第一添加模块,用于若对读取的目标数据进行了写操作,从更新后的映射表复制与读请求对应的逻辑页地址以及物理页地址,并将其添加到缓存中。
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