[发明专利]一种无应力InN纳米线生长方法有效
| 申请号： | 201611103463.6 | 申请日： | 2016-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN106757323B | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 修向前;陈丁丁;李悦文;陈琳;华雪梅;谢自力;韩平;陆海;顾书林;施毅;张荣;郑有炓 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/40;C30B29/60 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种制备无应力InN纳米线的方法，利用CVD设备升华法生长InN纳米线；衬底采用蓝宝石、硅或石英玻璃、GaN/蓝宝石(硅)，衬底清洗后，先覆盖单层或多层石墨烯薄膜；将覆有石墨烯薄膜的衬底表面沉积Au，放入CVD管式炉生长系统中，开始InN纳米线生长；常压，生长温度：500–800℃；高纯N2作为载气先吹扫管式炉去除空气等，然后持续通气保护InN纳米线外延，生长期间总N2载气流量0‑5slm；In源采用常规的高纯金属铟升华铟蒸汽和高纯氨气N H3反应生成InN。高纯氨气作为氮源，NH3流量：100–2000sccm；生长时间30‑150分钟。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米线 生长 高纯 氨气 蓝宝石 多层石墨烯 高纯金属铟 石墨烯薄膜 衬底表面 衬底清洗 生长系统 石英玻璃 载气流量 常规的 吹扫管 升华法 常压 沉积 衬底 单层 氮源 放入 去除 载气 制备 薄膜 蒸汽 通气 升华 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种制备无应力InN纳米线的方法，其特征是，利用CVD设备升华法生长InN纳米线；衬底采用蓝宝石、硅或石英玻璃、GaN/蓝宝石，衬底清洗后，先覆盖单层或多层石墨烯薄膜；将覆有石墨烯薄膜的衬底表面沉积Au，放入CVD管式炉生长系统中，开始InN纳米线生长；常压，生长温度：500–800℃；高纯N2作为载气先吹扫管式炉去除空气，然后持续通气保护InN纳米线外延，生长期间总N2载气流量0‑5slm；In源采用常规的高纯金属铟升华铟蒸汽和高纯氨气NH3反应生成InN；高纯氨气作为氮源，NH3流量：100–2000sccm；生长时间30‑150分钟；采用常压升华法，金属In作为铟源，铟升华和NH3反应，超过铟熔点温度时升华；Au作为催化剂。
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