[发明专利]一种低干扰电感结构有效
| 申请号： | 201611096994.7 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN106783019B | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 王浩 | 申请（专利权）人： | 江苏贺鸿电子有限公司 |
| 主分类号： | H01F27/00 | 分类号： | H01F27/00;H01F27/28;H01F27/29 |
| 代理公司： | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人： | 李浩 |
| 地址： | 224200 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低干扰电感结构，包括：衬底；在所述衬底上表面的沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构的顶面高于所述衬底的上表面；位于所述沟槽隔离结构底部的第一电感结构，所述第一电感结构包括第一中间电极、第一边缘电极、第一电感图案、连接所述第一中间电极与所述第一电感图案的第一导电通孔以及连接所述第一边缘电极与所述第一电感图案的第一斜面连接层；其中，所述第一边缘电极位于所述衬底的上表面，所述第一中间电极位于所述衬底的下表面，所述第一导电通孔贯穿所述沟槽隔离结构的底部与所述衬底的下表面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 干扰 电感 结构 | ||
【主权项】：
1.一种低干扰电感结构，包括：衬底；在所述衬底上表面的沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构的顶面高于所述衬底的上表面；位于所述沟槽隔离结构底部的第一电感结构，所述第一电感结构包括第一中间电极、第一边缘电极、第一电感图案、连接所述第一中间电极与所述第一电感图案的第一导电通孔以及连接所述第一边缘电极与所述第一电感图案的第一斜面连接层；其中，所述第一边缘电极位于所述衬底的上表面，所述第一中间电极位于所述衬底的下表面，所述第一导电通孔贯穿所述沟槽隔离结构的底部与所述衬底的下表面；凹槽，形成于所述沟槽隔离结构的顶部；第二电感结构，所述第二电感结构包括第二中间电极、第二边缘电极、第二电感图案、连接所述第二中间电极与所述第二电感图案的第二导电通孔以及连接所述第二边缘电极与所述第二电感图案的第二斜面连接层；其中，所述第二边缘电极位于所述沟槽隔离结构的上表面，所述第二中间电极位于所述沟槽隔离结构的上表面，所述第二导电通孔贯穿所述沟槽隔离结构的一部分并从所述沟槽隔离结构的上表面露出。
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