[发明专利]一种CMOS互补结构的混频器电路

摘要

本发明公开一种CMOS互补结构的混频器电路，包括：四个跨导输入级以及本振脉冲整形级；当VLO+、VLO‑为高、低电平时，第一、第二跨导输入级接收VRF+、VRF‑电压信号，将差分射频电压信号放大后传递到VIF+、VIF‑端口；当VLO+、VLO‑电平翻转后，差分信号从VRF+和VRF‑端口分别经过第四、第三输入跨导级放大后传递到VIF‑、VIF+端口；本振脉冲整形级将单端正弦本振信号整形为差分矩形本振信号，等效地降低了对正弦本振信号功率的要求，缓解了本振端口隔离度的设计压力；跨导输入级采用CMOS互补结构，获得电流复用的效果，降低功耗；并可获得二阶非线性的补偿效果，降低二阶互作用扭曲的影响。

主权项

一种CMOS互补结构的混频器电路，其特征在于，包括：第一跨导输入级、第二跨导输入级、第三跨导输入级、第四跨导输入级、本振脉冲整形级、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第九NMOS晶体管、第九PMOS晶体管、第十NMOS晶体管、第十PMOS晶体管；所述第一跨导输入级第一端接电压VRF+，所述第一跨导输入级第二端接电压VIF+，所述第一跨导输入级第三端接第九PMOS晶体管的漏极，所述第一跨导输入级第四端接第九NMOS晶体管的漏极；所述第二跨导输入级第一端接电压VRF‑，所述第二跨导输入级第二端接电压VIF‑，所述第二跨导输入级第三端接第九PMOS晶体管的漏极，所述第二跨导输入级第四端接第九NMOS晶体管的漏极；所述第三跨导输入级第一端接电压VRF‑，所述第三跨导输入级第二端接电压VIF+，所述第三跨导输入级第三端接第十PMOS晶体管的漏极，所述第三跨导输入级第四端接第十NMOS晶体管的漏极；所述第四跨导输入级第一端接电压VRF‑，所述第四跨导输入级第二端接电压VIF‑，所述第四跨导输入级第三端接第十PMOS晶体管的漏极，所述第四跨导输入级第四端接第十NMOS晶体管的漏极；所述本振脉冲整形级第一端接电压VOSC，所述本振脉冲整形级第二端接电压VLO+，所述本振脉冲整形级第二端接电压VLO‑；所述第九PMOS晶体管的栅极接电压VLO‑，所述第九PMOS晶体管的源极接电压VDD；所述第九NMOS晶体管的栅极接电压VLO+，所述第九NMOS晶体管的源极接地；所述第十PMOS晶体管的栅极接电压VLO+，所述第十PMOS晶体管的源极接电压VDD；所述第十NMOS晶体管的栅极接电压VLO‑，所述第十NMOS晶体管的源极接地；所述第一电阻的第一端接第一跨导输入级第一端，第一电阻的第二端接第一跨导输入级第二端；所述第二电阻的第一端接第二跨导输入级第一端，第二电阻的第二端接第二跨导输入级第二端；所述第三电阻的第一端接第三跨导输入级第一端，第三电阻的第二端接第三跨导输入级第二端；所述第四电阻的第一端接第四跨导输入级第一端，第四电阻的第二端接第四跨导输入级第二端。