[发明专利]一种降低CMOS图像传感器暗电流的方法在审
| 申请号： | 201611092332.2 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106783899A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 张武志;魏峥颖;王艳生;周维;孙昌;钱俊 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减小CMOS图像传感器暗电流的方法，包括以下步骤提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成像素区的浅沟槽隔离以及像素区的光电二极管、浮动扩散区以及多晶硅传输栅；形成到达所述浅沟槽隔离内部的第一接触孔；在所述第一接触孔中填充金属形成浅沟槽隔离接触；以及在所述浅沟槽隔离接触上施加负偏压。本发明能够以简单的工艺步骤有效降低CMOS图像传感器的暗电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 cmos 图像传感器 电流 方法 | ||
【主权项】：
一种减小CMOS图像传感器暗电流的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成像素区的浅沟槽隔离以及像素区的光电二极管、浮动扩散区以及多晶硅传输栅；S2：形成到达所述浅沟槽隔离内部的第一接触孔；S3：在所述第一接触孔中填充金属形成浅沟槽隔离接触；以及S4：在所述浅沟槽隔离接触上施加负偏压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
