[发明专利]一种黑磷烯薄膜存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201611081228.3 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106783854B | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 赵鸿滨;屠海令;张国成;魏峰;杨志民;姚俊奇 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 陈波 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种黑磷烯薄膜存储器及其制备方法。黑磷烯薄膜存储器的制备方法包括如下步骤：(1)清洗衬底；(2)在衬底上形成底电极；(3)在底电极上形成黑磷烯薄膜层；(4)通过构图工艺在黑磷烯薄膜层上形成顶电极的图形；(5)在黑磷烯薄膜层上形成顶电极，得到存储器单元；(6)通过构图工艺在存储器单元上侧形成披覆层的图形；(7)最后形成披覆层，使其包覆顶电极覆盖之外的黑磷烯薄膜层，得到所述存储器。该黑磷烯薄膜存储器具有转变速度快、读写电压稳定的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 黑磷 薄膜 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种黑磷烯薄膜存储器，其特征在于，由下至上依次包括衬底(1)、底电极(2)、黑磷烯薄膜层(3)和顶电极(4)；其中顶电极(4)覆盖之外的黑磷烯薄膜层(3)用披覆层(5)覆盖；该存储器以黑磷烯薄膜层(3)作为存储功能层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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