[发明专利]一种降低热载流子劣化的电平转换电路有效
| 申请号： | 201611077581.4 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106788386B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 胡晓明 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175;H03K19/003 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种降低热载流子劣化的电平转换电路，其包括第一和第二PMOS晶体管、第一和第二NMOS晶体管、反向器和热载流子抑制子电路；其中，第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管的节点构成电平转换电路的输出，并与第一PMOS晶体管的栅极相连；第二PMOS晶体管源端和外部高电压电源连接，第二NMOS晶体管的源端连接地电平；第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管的节点与第二PMOS晶体管栅极相连，第一PMOS晶体管源端和外部高电压电源连接，第一NMOS晶体管的源端连接地电平；第一反向器输入构成电平转换电路的输入，其输出与第一NMOS晶体管栅极和热载流子抑制子电路的输入相连，热载流子抑制子电路的输出与第二NMOS晶体管的栅极相连，以降低实际到达第二NMOS晶体管的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 载流子 电平 转换 电路 | ||
【主权项】：
一种降低热载流子劣化的电平转换电路，用于具有内部低电压电源(VPPL)和外部高电压电源(VPPH)集成电路的电平转换电路，其特征在于，包括：第一PMOS晶体管(1)及第二PMOS晶体管(2)；第一NMOS晶体管(3)和第二NMOS晶体管(4)；以及反向器(5)和热载流子抑制子电路(6)；其中，所述第二PMOS晶体管(2)和第二NMOS晶体管(4)的节点(11)构成电平转换电路的输出(OUT)，并与所述第一PMOS晶体管(1)的栅极相连；所述第二PMOS晶体管(2)源端和外部高电压电源连接，所述第二NMOS晶体管(4)的源端连接地电平；所述第一PMOS晶体管(1)和第一NMOS晶体管(3)的节点(22)与第二PMOS晶体管(2)栅极相连，所述第一PMOS晶体管(1)源端和外部高电压电源连接，第一NMOS晶体管(3)的源端连接地电平；所述第一反向器(5)输入构成电平转换电路的输入(IN)，其输出与第一NMOS晶体管(3)栅极和热载流子抑制子电路(6)的输入相连，热载流子抑制子电路(6)的输出与第二NMOS晶体管(4)的栅极相连，以降低实际到达第二NMOS晶体管(4)的电压。
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