[发明专利]具有增强的电流吸收能力的运算跨导放大器有效
| 申请号： | 201611065721.6 | 申请日： | 2012-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN106559054B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 段毅君 | 申请（专利权）人： | 意法半导体研发(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明的一些实施例提供了具有增强的电流吸收能力的运算跨导放大器。一种放大器电路，包括输入端子和输出端子。电流吸收晶体管包括耦合至输出端子的第一导电端子以及耦合至参考电源节点的第二导电端子。电压感测电路具有耦合至输入端子的第一输入以及耦合至输出端子的第二输入。电压感测电路的输出耦合至电流吸收晶体管的控制端子。电压感测电路用于感测超出输入端子处电压的输出端子处的电压的上升，并且通过激活电流吸收晶体管而响应于此。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 电流 吸收 能力 运算 放大器 | ||
【主权项】：
1.一种电子装置，包括：非反相单位增益缓冲器，具有耦合至输入节点以接收输入电压的输入端，以及耦合至输出节点的输出端；以及电流吸收电路，被配置成在缺乏流入所述输出节点的电流脉冲的情形下在睡眠模式中操作，并且被配置成在吸收模式中操作以响应于感测到所述电流脉冲流入所述输出节点而将所述电流脉冲吸收至参考电源节点；其中所述电流吸收电路包括：第一NMOS晶体管，具有耦合至所述输出节点的漏极、耦合至所述参考电源节点的源极、以及栅极；电阻器，耦合在所述第一NMOS晶体管的所述栅极和所述参考电源节点之间；以及电压感测电路，被配置成镜像复制参考电流以流经所述电阻器，以便在缺乏流入所述输出节点的电流脉冲的情形下在所述第一NMOS晶体管的栅极处产生睡眠模式电压，并且被配置成当感测到所述电流脉冲时在所述第一NMOS晶体管的栅极处生成电流吸收电压，所述电流吸收电压根据所述电流脉冲而上升。
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