[发明专利]用于具有内连线结构的半导体装置的方法

摘要

本发明实施例揭示一种用于具有内连线结构的半导体装置的方法。在一些实施例中，半导体装置具有内连线结构。所述半导体装置的所述内连线结构包括栅极氧化物；金属线，其与所述栅极氧化物耦合且形成于所述栅极氧化物上方；及放电路径，其与所述金属线耦合，其中所述金属线具有至少一个通孔形成于其上且不向下与氧化物扩散区耦合。

主权项

一种用于具有内连线结构的半导体装置的方法，所述方法包括：接收设计布局；识别金属线，所述金属线具有至少一个通孔在其上且不向下与氧化物扩散区耦合；从所述设计布局获得与所述金属线耦合的栅极氧化物的面积；及确定所述栅极氧化物的所述面积是否大于第一预定值，在所述栅极氧化物的所述面积大于所述第一预定值时，耦合所述金属线与电荷释放路径。