[发明专利]一种氮化铝陶瓷基板用氮化铝粉体及其制备方法有效
| 申请号： | 201611054095.0 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN106699189B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 杨志平;刘少鹏;张银霞;赵金鑫 | 申请（专利权）人： | 河北利福光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/581 | 分类号： | C04B35/581;C04B35/626;C04B35/64 |
| 代理公司： | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人： | 苏艳肃 |
| 地址： | 071000 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氮化铝陶瓷基板用氮化铝粉体及其制备方法，所述氮化铝粉体的制备方法包括以下步骤：（a）、制备前驱体混合物；（b）、高温合成；（c）、脱碳处理；（d）、表面处理。本发明所提供的制备方法简单，合成温度低，无污染，适合大规模生产。本发明还提供了一种由上述方法制得氮化铝粉体，所制备的氮化铝粉体耐水性好且粉体中均匀分布了氮化铝基板烧结过程所需的微量元素，并通过调节烧结助剂的使用量得到了更加合适的粉体粒径范围，提升了基板的致密性、热导率和抗震性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 陶瓷 基板用 铝粉体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化铝陶瓷基板用氮化铝粉体的制备方法，其特征是，包括如下步骤：（a）、制备前驱体混合物：称取粒径为0.8～1.2µm的氧化铝粉末、粒径为20～50 nm的炭黑、粒径为1～10µm的烧结助剂，将称取的各原料充分混合，制备出混料均匀的前驱体混合物；（b）、高温合成：将前驱体混合物放入烧结炉中，在氮气气氛中、1500～1600℃条件下保温时间2～5h，得到氮化铝粉体粗品；（c）、脱碳处理：将氮化铝粉体粗品在脱碳炉中于600～700℃条件下保温2‑5h，除去多余的炭黑；（d）、表面处理：将经脱碳处理后的氮化铝粉体粗品分散在有机磷酸化合物中进行表面处理，即得到氮化铝陶瓷基板用氮化铝粉体。
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