[发明专利]一种质子传导氧化物电解质薄膜的制备方法在审
申请号: | 201611050271.3 | 申请日: | 2016-11-25 |
公开(公告)号: | CN108110286A | 公开(公告)日: | 2018-06-01 |
发明(设计)人: | 程谟杰;戚惠颖 | 申请(专利权)人: | 中国科学院大连化学物理研究所 |
主分类号: | H01M8/1016 | 分类号: | H01M8/1016 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 马驰 |
地址: | 116023 *** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明涉及一种质子传导氧化物电解质薄膜的制备方法,所述方法是在YSZ膜涂覆含钡的浆料,含钡浆料经过熔融、分解、钡离子迁移和扩散进入YSZ晶格中,反应得到质子传导BZY薄膜(5‑20μm),该方法突破了质子传导氧化物BZY难于低温成膜的问题,有助于质子传导氧化物薄膜在固体氧化物燃料电池技术中广泛应用。 | ||
搜索关键词: | 质子传导 薄膜 氧化物电解质 浆料 制备 固体氧化物燃料电池 氧化物薄膜 低温成膜 钡离子 氧化物 晶格 熔融 涂覆 迁移 分解 扩散 应用 | ||
【主权项】:
1.一种质子传导氧化物电解质薄膜的制备方法,其特征在于所述方法包括如下步骤:(1)将含钡化合物与YSZ按所需比例混合后,添加溶剂,超声处理,得到含钡浆料;(2)将步骤(1)制备的含钡浆料通过涂敷YSZ电解质上,干燥;(3)将步骤(2)得到的涂敷含钡浆料的YSZ电解质在高温下焙烧,含钡浆料经过熔融、分解、钡离子迁移和扩散进入YSZ晶格中,反应得到质子传导BZY致密电解质薄膜。
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