[发明专利]硅杂稠环类衍生物、其应用及电致发光器件

摘要

本发明属于光电材料应用技术领域，具体涉及硅杂稠环类衍生物、其应用及电致发光器件。该硅杂稠环类衍生物以硅杂稠环类为核心，通过在硅杂稠环类的不同位点键联不同的芳香基团，或改变桥联结构，形成了具有高电子迁移率特性的电子传输材料。本发明所提供的硅杂稠环类的衍生物作为电子传输层，硅与卤素形成较强的共价键，具有较强的拉电子作用，硅杂七元环能保留芳香环特性，同时硅的sp3杂化形成的非平面结构能有效减小整个分子平面堆积，且具有高的三重态，避免三重态激子回传，适用于荧光发光和磷光发光体系。

主权项

1.硅杂稠环类衍生物，其特征在于，具有式(Ia)或式(Ib)所示的结构通式：其中：Ar1-Ar4分别独立的选自苯基或萘基，并且，至少有一个为萘基；R1-R4分别独立的选自取代的或未被取代的C1-C20的烷烃基团、取代的或未被取代的C1-C20的硅烷烃基团、取代的或未被取代的C6-C65的芳香基团、取代的或未被取代的C6-C65的芳香硅烷基团、取代的或未被取代的C5-C65的杂环基团、取代的或未被取代的C6-C65的多环基团、取代的或未被取代的C6-C65的亚芳香基团或者取代的或未被取代的C6-C65的亚芳香杂环基团，R1-R4相同或不同，X为卤素F、Cl、Br或I。