[发明专利]一种发光二极管的外延片及其生长方法有效
| 申请号： | 201611033249.8 | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN106653970B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 刘华容 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、发光层、P型GaN层，缓冲层中掺杂有Mg。本发明通过在缓冲层中掺杂Mg，Mg可以诱导缓冲层的材料从二维生长转向三维生长，形成三维岛状的晶粒，不再需要缓冲层采用低温低压的生长方式，缓冲层的生长温度可以提高，从而减少刃位错、螺旋位错等晶格缺陷的产生，提高外延片的晶体质量，提高LED的内量子效率和抗静电能力。而且缓冲层和N型GaN层之间设置有未掺杂GaN层，未掺杂GaN层可以起到隔断的作用，避免缓冲层中掺杂Mg影响N型GaN层中的电子注入发光层复合发光。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、发光层、P型GaN层，其特征在于，所述缓冲层包括依次层叠的厚度为100nm的GaN层和厚度为200nm的掺杂Mg的GaN层，所述未掺杂GaN层的厚度为3μm，所述缓冲层的生长温度为700~1100℃。
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