[发明专利]一种磁阻传感器温度补偿方法有效

专利信息
申请号: 201611032480.5 申请日: 2016-11-18
公开(公告)号: CN106706005B 公开(公告)日: 2019-02-19
发明(设计)人: 欧阳勇;胡军;何金良;王善祥;王中旭;赵根;曾嵘;庄池杰;张波;余占清 申请(专利权)人: 清华四川能源互联网研究院;清华大学
主分类号: G01D3/036 分类号: G01D3/036
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 徐静
地址: 610213 四川省成都市天*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及传感器设计领域,针对现有技术存在的问题,提供一种磁阻传感器温度补偿方法,其在现有的磁阻传感器的放大电路或者磁阻传感器供电电源部分进行特殊设计,对磁阻传感器的温度特性进行补偿,以取得更高的精度。本发明通过基准电源给磁阻传感器供电;温度补偿运放放大电路对磁阻传感器温度进行补偿及放大,当温度补偿运放放大电路中增益电阻器Rg与第三级运算放大器两输入端电阻是NTC电阻时,则根据NTC式磁阻传感器灵敏度计算模块计算灵敏度;当温度补偿运放放大器的第三级运算放大器增益电阻和第三级运算放大器接地电阻是PTC电阻,则根据PTC式磁阻传感器灵敏度计算模块计算灵敏度。
搜索关键词: 磁阻传感器 温度补偿 放大电路 第三级 运放 灵敏度计算 运算放大器 灵敏度 运算放大器增益 放大器 传感器设计 输入端电阻 增益电阻器 供电电源 基准电源 接地电阻 温度特性 电阻 放大 供电
【主权项】:
1.一种磁阻传感器温度补偿方法,其特征在于包括:步骤1:磁传感器件单位电源电压下的灵敏度可表示为式(1):S1(T)=ST0(1+a(T‑T0))                                   (1)式中,T为温度,T0为参考温度,ST0为温度T0时的灵敏度,a为传感器灵敏度的温度变化系数;在实际传感应用中,必须为传感器件配备电源及信号调理电路,此时整体磁传感器的灵敏度为式2:S(T)=pVSST0(1+a(T‑T0))                                (2)式中,S为整体磁阻传感器灵敏度,p为后端处理电路放大倍数,Vs为磁传感器件供电电压;步骤2:由于在p或Vs中引入了温度变化项,式2延伸出2种形式,进行磁传感器的非侵入式温度补偿方程式为公式(3)和公式(4):S(T)=pVSST0(1+a(T‑T0))(1+b(T‑T0))                     (3)式中,b为通过温度调节电路的温度变化系数,(1+b(T‑T0))为从p或Vs剥离出的温度变化项;假设传感器工作温度范围为T1~T2,其中T1通常情况下,传感器的温度变化系数|a|<0.1%/℃,因此1+aT2>0;根据公式(5)得到温度漂移量最小时的b值,使得S(T)最小;其中,对于式(4),只需要令b=a即可,此时通过零极点消除,就可完全消除温度的影响,使得S(T)最小;步骤3:根据第一种或第二种磁传感器的非侵入式温度补偿方法进行温度补偿;第一种磁传感器非侵入式温度补偿是根据温度变化实时改变磁传感芯片两端供电电压Vs来减小温度漂移量,进行温度补偿;第二种磁传感器非侵入式温度补偿方法是根据温度变化实时改变磁传感芯片后端信号调理电路放大倍数p来减小温度漂移量,进行温度补偿。
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