[发明专利]一种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED及其制造方法在审
| 申请号： | 201611031441.3 | 申请日： | 2016-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN108091742A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 李志虎;张新;于军;王成新;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30;H01L33/12;H01L33/10;H01L33/06;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 王楠 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED及其制造方法，属于光电子技术领域，结构由下至上包括GaAs衬底、GaAs低温缓冲层、Bragg反射镜层、AlInP下限制层、多量子阱发光区、AlInP上限制层、P型(Alx2Ga1‑x2)y2In1‑y2P第一窗口层和P型GaP第二窗口层。通过在常规黄绿光LED结构中利用MOCVD设备增加一层晶格匹配的高质量窗口层，形成改良的双层窗口层，既能避免第一窗口层的氧化，又能提升原普通结果一层窗口层的质量不高的问题，起到增加电流扩展的良率及光学窗口层的作用，提高了器件的可靠性、稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 窗口层 黄绿光 改良 多量子阱发光区 光电子技术领域 低温缓冲层 电流扩展 光学窗口 晶格匹配 上限制层 双层窗口 下限制层 衬底 良率 制造 | ||
【主权项】：
1.一种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED，其特征在于，由下至上包括GaAs衬底、GaAs低温缓冲层、Bragg反射镜层、AlInP下限制层、多量子阱发光区、AlInP上限制层、P型(Alx2 Ga1-x2 )y2 In1-y2 P第一窗口层和P型GaP第二窗口层。
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