[发明专利]离子注入即时制造控制系统及离子注入即时制造控制方法在审
| 申请号： | 201611028746.9 | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN106356273A | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 李赟佳;赖朝荣;王智 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/302 | 分类号： | H01J37/302 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种离子注入即时制造控制系统及离子注入即时制造控制方法。本发明的离子注入即时制造控制系统包括晶圆装载区传送部分、注入区部分、热波量测区域部分、以及数据反馈计算部分；其中，晶圆装载区传送部分用于将晶圆传递至注入区部分，注入区部分用于执行离子束调整并对晶圆执行离子注入处理；热波量测区域部分在经离子注入处理后的晶圆传递回晶圆装载区传送部分之前对经离子注入处理后的晶圆进行热波量测，并且将热波量测数据传递给数据反馈计算部分；数据反馈计算部分用于根据热波量测数据判断当前离子束是否需要调整，并且根据判断结果控制注入区部分的离子束调整。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 即时 制造 控制系统 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种离子注入即时制造控制系统，其特征在于包括：晶圆装载区传送部分、注入区部分、热波量测区域部分、以及数据反馈计算部分；其中，晶圆装载区传送部分用于将晶圆传递至注入区部分，注入区部分用于执行离子束调整并对晶圆执行离子注入处理；热波量测区域部分在经离子注入处理后的晶圆传递回晶圆装载区传送部分之前对经离子注入处理后的晶圆进行热波量测，并且将热波量测数据传递给数据反馈计算部分；数据反馈计算部分用于根据热波量测数据判断当前离子束是否需要调整，并且根据判断结果控制注入区部分的离子束调整。
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