[发明专利]基于内部偏置场难轴方向的磁阻静态特性优化方法

摘要

本发明涉及静态特征优化技术领域，公开了一种基于内部偏置场难轴方向的磁阻静态特性优化方法。具体包括以下步骤：步骤1、将易轴偏置场设置为恒定值，设置难轴偏置场的取值获取传感曲线；步骤2、选取特定的磁场测量范围的最大值h_FM，将传感曲线经过目标函数优化，获取灵敏度k、偏置b和绝对误差Err；步骤3、选取不同的磁场测量范围的最大值h_FM，重复步骤2；步骤4、选取不同的难轴偏置场的取值，重复步骤1‑3，获取在同一个二维坐标A的N条绝对误差Err与磁场测量范围的关系曲线；步骤5、根据所述二维坐标获取特定磁场测量范围和特定的易轴偏置场下使得绝对误差最小的难轴偏置场相应值。通过调节难轴偏置场，获得更大的线性区域。

主权项

1.一种基于内部偏置场难轴方向的磁阻静态特性优化方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、将易轴偏置场设置为恒定值，设置难轴偏置场的取值，根据传感器的输出函数在二维坐标上得到磁阻变化率与归一化磁场关系的传感曲线；步骤2、选取特定的磁场测量范围的最大值h_FM，将传感曲线经过目标函数优化，其中，f(h_F)为电桥芯片的输出函数，h_F为外界磁场，h_FM为磁场测量范围的最大值，k，b为芯片的灵敏度和偏置，获取灵敏度k、偏置b和绝对误差Err；优化的具体过程为：步骤21、选取特定的磁场测量范围的最大值h_FM，截取磁场测量范围为‑h_FM～h_FM间的传感曲线；步骤22、利用两条平行直线包络住截取后的传感曲线，并使得两条平行直线之间的距离最小；步骤23、所述两条平行直线中间的平行直线为优化后的目标直线，该目标直线的斜率以及与纵坐标的交点分别为灵敏度k和偏置b；步骤24、获取包络直线与目标直线在纵坐标交点的距离即为绝对误差Err，或将所述灵敏度k和偏置b的值代入目标函数获取得到特定的磁场测量范围的最大值h_FM下的绝对误差Err；步骤3、选取不同的磁场测量范围的最大值h_FM，重复步骤2，获取当前易轴偏置场和难轴偏置场取值下的绝对误差Err、灵敏度k、偏置b与磁场测量范围的关系曲线；步骤4、选取N‑1个不同的难轴偏置场的取值，所述N为大于2的自然数，重复步骤1‑3，获取N条绝对误差Err与磁场测量范围的关系曲线，所述N条绝对误差Err与磁场测量范围的关系曲线在同一个二维坐标A中，每条绝对误差Err与磁场测量范围的关系曲线对应不同的难轴偏置场的取值；步骤5、根据所述二维坐标A获取特定磁场测量范围和特定的易轴偏置场下使得绝对误差最小的难轴偏置场相应值。