[发明专利]一种60对棒改良西门子法多晶硅还原炉底盘

摘要

一种60对棒改良西门子法多晶硅还原炉底盘，涉及一种多晶硅还原炉底盘。解决现有改良西门子法多晶硅还原炉生产的多晶硅质量差、能耗高、产量低、一次转化率低的问题。8个电极、16个电极、24个电极、32个电极及40个电极依次分布在电极一环环形中心线、电极二环环形中心线、电极三环环形中心线、电极四环环形中心线及电极五环环形中心线上；在底盘的中心位置设有中心混合气体进气喷嘴；8个第一混合气体进气喷嘴、12个第二混合气体进气喷嘴、16个第三混合气体进气喷嘴及4个混合气体出口依次设置在混合气体进气喷嘴一环环形中心线、混合气体进气喷嘴二环环形中心线、混合气体进气喷嘴三环环形中心线及底盘出口环环形中心线上。

主权项

1.一种60对棒改良西门子法多晶硅还原炉底盘，其特征在于：还原炉底盘包括底盘(1)及120个电极；在底盘(1)的圆心位置设有中心混合气体进气喷嘴(2)；沿底盘(1)圆心向底盘的外围方向依次设置电极一环环形中心线(3)、电极二环环形中心线(4)、混合气体进气喷嘴一环环形中心线(5)、电极三环环形中心线(6)、混合气体进气喷嘴二环环形中心线(7)、电极四环环形中心线(8)、混合气体进气喷嘴三环环形中心线(9)、电极五环环形中心线(10)及底盘出口环环形中心线(11)；所述的电极一环环形中心线(3)、电极二环环形中心线(4)、混合气体进气喷嘴一环环形中心线(5)、电极三环环形中心线(6)、混合气体进气喷嘴二环环形中心线(7)、电极四环环形中心线(8)、混合气体进气喷嘴三环环形中心线(9)、电极五环环形中心线(10)及底盘出口环环形中心线(11)和底盘(1)为同心圆；其中，8个电极均匀分布在电极一环环形中心线(3)上，16个电极均匀分布在电极二环环形中心线(4)上，24个电极均匀分布在电极三环环形中心线(6)上，32个电极均匀分布在电极四环环形中心线(8)上，40个电极均匀分布在电极五环环形中心线(10)上；在底盘(1)上还设有8个第一混合气体进气喷嘴(5‑1)、12个第二混合气体进气喷嘴(7‑1)、16个第三混合气体进气喷嘴(9‑1)及4个混合气体出口(11‑1)；8个第一混合气体进气喷嘴(5‑1)平均分为4个第一混合气体进气喷嘴组，4个第一混合气体进气喷嘴组均匀设置在混合气体进气喷嘴一环环形中心线(5)上，每个第一混合气体进气喷嘴组中相邻两个第一混合气体进气喷嘴(5‑1)中心之间直线距离为360mm～460mm；12个第二混合气体进气喷嘴(7‑1)平均分为4个第二混合气体进气喷嘴组，4个第二混合气体进气喷嘴组均匀设置在混合气体进气喷嘴二环环形中心线(7)上，每个第二混合气体进气喷嘴组中相邻两个第二混合气体进气喷嘴(7‑1)中心之间直线距离为360mm～460mm；16个第三混合气体进气喷嘴(9‑1)平均分为4个第三混合气体进气喷嘴组，4个第三混合气体进气喷嘴组均匀设置在混合气体进气喷嘴三环环形中心线(9)上，每个第三混合气体进气喷嘴组中相邻两个第三混合气体进气喷嘴(9‑1)中心之间直线距离为360mm～460mm；4个混合气体出口(11‑1)均匀分布在底盘出口环环形中心线(11)上；所述的底盘(1)直径为3300mm～4200mm；所述的电极一环环形中心线(3)、电极二环环形中心线(4)、电极三环环形中心线(6)、电极四环环形中心线(8)及电极五环环形中心线(10)中同环相邻两个电极中心之间直线距离为200mm～230mm；所述的混合气体进气喷嘴一环环形中心线(5)的直径为1300mm～1400mm；所述的混合气体进气喷嘴二环环形中心线(7)的直径为1900mm～2000mm；所述的混合气体进气喷嘴三环环形中心线(9)的直径为2400mm～2500mm；所述的底盘出口环环形中心线(11)的直径为3000mm～3200mm；所述的底盘(1)为圆盘结构；在整个的底盘上，形成了四个对称的电极及喷嘴分布区，在每个区域内，以中心混合气体进气喷嘴(2)与混合气体出口(11‑1)所在的直线为对称轴。