[发明专利]一种无催化剂条件下制备镁掺杂ZnO纳米线的方法

摘要

本发明提供了一种无催化剂条件下制备镁掺杂ZnO纳米线的方法，采用双温区化学气相沉积管式炉，低温区为镁源，温度460‑960℃；高温区为锌源，温度800‑1100℃；镁源为镁粉，锌源为氧化锌和碳粉混合物，将镁粉放置在低温区，氧化锌和碳粉放置在高温区，硅衬底置于管式炉中，调节升温速率20℃/min，通入由纯氮和纯氧组成的混合载气，当双温区达到各自的温度后，继续通氧，保温20‑40min，在硅衬底上制备出镁掺杂ZnO纳米线。本发明通过用双温区气相沉积法制备纳米线，不需要提前制备催化层，完全是无催化剂条件，在20‑40min内即可制备成功，实现了纳米线在无催化条件下的快速自生长，耗时短，操作简单。

主权项

一种无催化剂条件下制备镁掺杂ZnO纳米线的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：采用双温区化学气相沉积管式炉，低温区为镁源，温度为460‑960℃；高温区为锌源，温度为800‑1100℃；镁源为纯度为99.999％的镁粉，锌源为氧化锌和碳粉的混合物，其中氧化锌和碳粉的质量比是1‑2:1；S2：将镁粉放置在低温区，氧化锌和碳粉放置在高温区，硅衬底置于管式炉中，调节双温区化学气相沉积管式炉的升温速率为20℃/min，通入由纯度为99.99％的氮气和纯度为99.99％的氧气组成的混合载气，其中，氮气和氧气的流量比为99:1，当低温区、高温区达到各自的温度后，继续通氧，保温20‑40min，在硅衬底上制备出镁掺杂ZnO纳米线。