[发明专利]一种含碳素材料的光电转化装置在审
申请号: | 201610997037.5 | 申请日: | 2016-11-14 |
公开(公告)号: | CN106373968A | 公开(公告)日: | 2017-02-01 |
发明(设计)人: | 郭玮;颜璐洁 | 申请(专利权)人: | 郭玮 |
主分类号: | H01L27/142 | 分类号: | H01L27/142;H01L31/0443;H01Q23/00;H01Q1/38;H01Q1/22 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 266000 山东省青*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明公布了一种基于碳素材料的光电转化装置及其制备方法,该装置包括石墨烯天线和金属‑绝缘体‑金属(MIM)二极管。MIM二极管为两个电极中间夹一层无晶体形态的纳米级厚度的绝缘体的三明治结构,其中第二电极包含一层基于碳素材料的纳米薄膜。石墨烯薄膜天线能够对可见光或者太赫兹波进行共振吸收,形成交流电,在两个电极所加载的偏置电压的作用下,通过MIM二极管的电子隧穿效应转化为直流电输出。碳素材料的优异性能能够降低天线损耗,提高光电转化率及二极管的效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 碳素 材料 光电 转化 装置 | ||
【主权项】:
一种光电转化装置,其特征在于,该装置包括:领结型的石墨烯天线以及置于其上的MIM二极管;MIM二极管包括第一电极、第二电极以及两电极之间所夹的绝缘体薄层,第二电极包含碳素材料薄膜层,该碳素材料可以为石墨烯、石墨炔或自支撑碳纳米管膜的一种或几种,厚度为单层或者双层;石墨烯薄膜天线对可见光或者太赫兹波进行共振吸收,形成交流电,在两个电极所加载的偏置电压的作用下,通过MIM二极管的电子隧穿效应转化为直流电输出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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