[发明专利]一种集成离子刻蚀划片槽和密封环的制造方法有效
| 申请号： | 201610985505.7 | 申请日： | 2016-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN106531628B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 黄冠群;陈广龙 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L23/00 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 智云<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种集成离子刻蚀划片槽和密封环的制造方法，包括：第一步骤：在形成有介质层的晶圆上淀积钝化层氧化硅；第二步骤：利用第一次光刻工艺定义密封环区域和划片槽区域，刻蚀掉划片槽区域以及与划片槽区域邻接的部分密封环区域内的介质层直至露出衬底表面；第三步骤：淀积钝化层氮化硅，同时使露出的衬底表面以及密封环区域侧壁形成一层氮化硅保护层；第四步骤：利用第二次光刻工艺定义焊盘区域和划片槽区域，刻蚀掉划片槽区域中的氮化硅保护层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 离子 刻蚀 划片 密封 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成离子刻蚀划片槽和密封环的制造方法，其特征在于包括：/n第一步骤：在形成有介质层的晶圆上淀积钝化层氧化硅；/n第二步骤：利用第一次光刻工艺定义密封环区域和划片槽区域，刻蚀掉划片槽区域以及与划片槽区域邻接的部分密封环区域内的介质层直至露出衬底表面；/n第三步骤：淀积钝化层氮化硅，同时使露出的衬底表面以及密封环区域侧壁形成一层氮化硅保护层；/n第四步骤：利用第二次光刻工艺定义焊盘区域和划片槽区域，刻蚀掉划片槽区域中的氮化硅保护层；/n其中，所述焊盘区域对应于所述与划片槽区域邻接的部分密封环区域。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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