[发明专利]消除前金属层内部缺陷导致的短路漏电的方法有效
| 申请号： | 201610984912.6 | 申请日： | 2016-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN106449400B | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 张志刚 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种消除前金属层内部缺陷导致的短路漏电的方法，包括：第一步骤：在硅片上形成多晶硅栅；第二步骤：在硅片上淀积前金属层以完全覆盖多晶硅栅；第三步骤：将前金属层研磨并减薄到多晶硅栅上方的预定厚度处；第四步骤：通过光刻和干法刻蚀工艺在将要进行钨通孔开孔的位置之间开通孔，其中所述通孔的宽度使所述通孔与将要开的钨通孔具有重叠；第五步骤：执行原子层淀积，以填满所述通孔；第六步骤：使得前金属层生长到钨通孔刻蚀的所需厚度；第七步骤：对生长后的前金属层进行钨通孔刻蚀；第八步骤：在钨通孔中进行钨填充工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 消除 金属 内部 缺陷 导致 短路 漏电 方法 | ||
【主权项】：
1.一种消除前金属层内部缺陷导致的短路漏电的方法，其特征在于包括：第一步骤：在硅片上形成多晶硅栅；第二步骤：进行第一次介质材料淀积，在硅片上淀积前金属层以完全覆盖多晶硅栅；第三步骤：将前金属层研磨并减薄到多晶硅栅上方的预定厚度处，获得第一前金属层；第四步骤：通过光刻和干法刻蚀工艺在第一前金属层中将要进行钨通孔开孔的位置之间开通孔，其中所述通孔的宽度使所述通孔与将要开的钨通孔具有重叠；第五步骤：进行第二次介质材料淀积，执行原子层淀积，以填满所述通孔；第六步骤：进行第三次介质材料淀积，在第一前金属层上形成第二前金属层，使得前金属层生长到钨通孔刻蚀的所需厚度；第七步骤：对生长后的前金属层进行钨通孔刻蚀；第八步骤：在钨通孔中进行钨填充工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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