[发明专利]QLED及其制备方法有效
| 申请号： | 201610971258.5 | 申请日： | 2016-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN106450018B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 陈崧;钱磊;曹蔚然;向超宇;杨一行 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 44237 深圳中一专利商标事务所 | 代理人： | 黄志云 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种QLED，包括依次层叠设置的第一电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和第二电极，在所述空穴传输层和所述量子点发光层之间设置有第一铁电偶极矩材料层；和/或在所述量子点发光层和所述电子传输层之间设置有第二铁电偶极矩材料层，其中，所述第一铁电偶极矩材料层、所述第二铁电偶极矩材料层为预设外电场对铁电材料进行偶极矩设定后得到的材料层。 | ||
| 搜索关键词： | qled 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种QLED，包括第一电极，在所述第一电极的一表面上设置的空穴注入层，在所述空穴注入层背离所述第一电极的表面上设置的空穴传输层，在所述空穴传输层背离所述空穴注入层的表面上设置的量子点发光层，在所述量子点发光层背离所述空穴传输层的表面上设置的电子传输层，在所述电子传输层背离所述量子点发光层的表面上设置的第二电极，其特征在于，在所述空穴传输层和所述量子点发光层之间设置有第一铁电偶极矩材料层；和/或/n在所述量子点发光层和所述电子传输层之间设置有第二铁电偶极矩材料层，/n其中，所述第一铁电偶极矩材料层、所述第二铁电偶极矩材料层为预设外电场对铁电材料进行偶极矩设定后得到的材料层，且所述铁电材料经所述预设外电场极化形成内电场；其中，所述铁电材料为绝缘材料，且所述铁电材料选自KNbO
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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