[发明专利]一种用于热电堆红外探测器的入射光线聚集器的制作工艺有效
| 申请号： | 201610966489.7 | 申请日： | 2016-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN106404186B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 武斌;张绍达;郑星语 | 申请（专利权）人： | 深圳市美思先端电子有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/12 | 分类号： | G01J5/12;G01J5/16;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 曹卫良 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于热电堆红外探测器的入射光线聚集器的制作工艺，其具体工艺步骤如下：(1)使用湿法氧化工艺在P‑型(100)硅基底上形成氧化层；(2)在P‑型(100)硅基底的正面依次进行旋涂光刻胶、前烘、曝光、显影形成图案，露出需要刻蚀区域的氧化层后烘干；(3)使用缓冲氧化物刻蚀水溶液(BOE)对暴露出的氧化层进行刻蚀，去光刻胶；(4)通过使用四甲基氢氧化铵(TMAH)各向异性刻蚀溶液，在P‑型(100)硅基底正面形成倾斜面，该倾斜面作为反射平面用来改变入射光线的传播路径。本发明通过采用光线聚集器，使得热电堆红外探测器敏感区域所获得的红外入射光线照射量大大增加，提高热电堆红外探测器的响应率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 热电 红外探测器 入射 光线 聚集 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种用于热电堆红外探测器的入射光线聚集器的制作工艺，其特征在于，其具体工艺步骤如下：(1)使用湿法氧化工艺在P‑型(100)硅基底上形成氧化层；(2)在P‑型(100)硅基底的正面依次进行旋涂光刻胶、前烘、曝光、显影形成图案，露出需要刻蚀区域的氧化层后烘干；(3)使用缓冲氧化物刻蚀水溶液(BOE)对暴露出的氧化层进行刻蚀，去光刻胶；(4)通过使用四甲基氢氧化铵(TMAH)各向异性刻蚀溶液，在P‑型(100)硅基底正面形成倾斜面，该倾斜面作为反射平面用来改变入射光线的传播路径；(5)在P‑型(100)硅基底的背面用化学机械研磨工艺对P‑型(100)硅基底进行减薄，减薄至形成正反面贯通的广口孔洞；(6)在P‑型(100)硅基底正面形成的的倾斜面上，利用电子束蒸镀0.2μm的铝作为反射面的镜面；(7)最后，将制作好的入射光线聚集器与热电堆红外探测器进行键合。
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