[发明专利]一种基于GeSbTe相变材料的薄膜器件有效
| 申请号： | 201610962686.1 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN106374045B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 朱伟玲;陈星源;古迪 | 申请（专利权）人： | 广东石油化工学院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人： | 潘丽君 |
| 地址： | 525000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于GeSbTe相变材料的薄膜器件，包括衬底层、下电极层、第一GeSbTe材料层、二硫化钼层、第二GeSbTe材料层、石墨烯层、上电极层和保护层，所述下电极层、第一GeSbTe材料层、二硫化钼层、第二GeSbTe材料层、石墨烯层、上电极层、保护层依次沉积叠加在所述衬底层上，所述第一GeSbTe材料层为离子掺杂的GeSbTe相变材料层，所述第二GeSbTe材料层为纯相的GeSbTe相变材料。本发明的基于GeSbTe相变材料的薄膜器件具有热稳定性高、一致性好、相变速度快和使用寿命长特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 gesbte 相变 材料 薄膜 器件 | ||
【主权项】：
1.一种基于GeSbTe相变材料的薄膜器件，其特征在于：包括衬底层（100）、下电极层（200）、第一GeSbTe材料层（300）、二硫化钼层（400）、第二GeSbTe材料层（500）、石墨烯层（600）、上电极层（700）和保护层（800），所述下电极层（200）、第一GeSbTe材料层（300）、二硫化钼层（400）、第二GeSbTe材料层（500）、石墨烯层（600）、上电极层（700）、保护层（800）依次沉积叠加在所述衬底层（100）上，所述第一GeSbTe材料层（300）为离子掺杂的GeSbTe相变材料层，所述第二GeSbTe材料层（500）为纯相的GeSbTe相变材料；所述第一GeSbTe材料层（300）包括Ti3+、Ni2+和/或Al3+掺杂的GeSbTe相变材料。
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