[发明专利]垂直磁化自旋轨道磁性元件有效
| 申请号： | 201610951574.6 | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN107689415B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 李欣翰;杨姗意;陈佑昇;张耀仁 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 祁建国;梁挥 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种垂直磁化自旋轨道磁性元件，包括重金属层、磁隧道结、第一反铁磁层、第一阻绝层以及第一外漏场施加层。磁隧道结设置于重金属层上。第一阻绝层设置于磁隧道结与第一反铁磁层之间。第一外漏场施加层设置于第一反铁磁层与第一阻绝层之间。第一外漏场施加层产生平行于膜面的外漏磁场。第一反铁磁层接触所述第一外漏场施加层以定义第一外漏场施加层所产生的磁矩方向。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 磁化 自旋 轨道 磁性 元件 | ||
【主权项】：
一种垂直磁化自旋轨道磁性元件，其特征在于，包括：重金属层；磁隧道结，设置于该重金属层上；第一反铁磁层；第一阻绝层，设置于该磁隧道结与该第一反铁磁层之间；以及第一外漏场施加层，设置于该第一反铁磁层与该第一阻绝层之间，产生平行于膜面的外漏磁场，其中该第一反铁磁层接触该第一外漏场施加层以定义该第一外漏场施加层所产生的磁矩方向。
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