[发明专利]一种长瓣兜兰种子低温处理后的组培育苗方法在审

专利信息
申请号: 201610945621.6 申请日: 2016-10-26
公开(公告)号: CN107980621A 公开(公告)日: 2018-05-04
发明(设计)人: 邓克云;邓克兰;刘森银;周丽 申请(专利权)人: 黔西南州绿缘动植物科技开发有限公司
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 贵阳中新专利商标事务所52100 代理人: 吴无惧
地址: 562499 贵州省黔西南*** 国省代码: 贵州;52
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摘要: 发明公开了一种长瓣兜兰种子低温处理后的组培育苗方法,包括以下步骤(1)长瓣兜兰种子低温处理;(2)长瓣兜兰种子消毒处理;(3)种子萌发培养培养基为蔗糖+椰乳+活性炭+土豆+琼脂粉,PH5.5,暗培养30‑60天,培养温度25±1℃;(4)原球茎培养培养基为蔗糖+土豆+香蕉+活性炭+琼脂粉,PH5.5,光照培养12hr/d,光照强度为1500‑1200LUX,培养温度25±1℃;(5)生根培养培养基为蔗糖+土豆+香蕉+活性炭+琼脂粉,PH5.5,光照培养12hr/d,光照为1500‑1200LUX,培养温度25±1℃;(6)试管苗移栽。本发明在长瓣兜兰进行低温处理后进行组培育苗的各个阶段中,采用了适于长瓣兜兰组培的培养基,提高了长瓣兜兰种子发芽率和种苗生根率。
搜索关键词: 一种 兜兰 种子 低温 处理 培育 方法
【主权项】:
一种长瓣兜兰种子低温处理后的组培育苗方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)长瓣兜兰种子低温处理:在结果期,将采集的长瓣兜兰种子放在种子低温储藏柜中保存,保存温度4℃,保存3~4个月;(2)长瓣兜兰种子消毒处理:将低温保存的长瓣兜兰种子进行消毒处理;(3)种子萌发培养:将经过消毒处理的长瓣兜兰种子进行种子萌发培养,种植萌发采用的培养基为1/2MS+20g/L蔗糖+20ml/L椰乳+0.1mg/LKT+ 0.3mg/L活性炭+20g/L土豆+6‑7g/L琼脂粉,PH5.5,暗培养30‑60天,培养温度25±1℃;(4)原球茎培养:将种植萌发得到的原球茎进行培养,原球茎培养采用的培养基为1/2MS+20g/L蔗糖+0.2mg/LBA+20g/L土豆+20g/L香蕉+0.3mg/L活性炭+ 6‑7g/L琼脂粉,PH5.5,光照培养12hr/d,光照强度为1500‑1200LUX,培养温度25±1℃;(5)生根培养:在生根培养阶段采用的培养基为1/2MS+20g/L蔗糖+0.2mg/LNAA+0.1mg/LBA+20g/L土豆+20g/L香蕉+0.3mg/L活性炭+6‑7g/L琼脂粉,PH5.5,光照培养12hr/d,光照为1500‑1200LUX,培养温度25±1℃;(6)试管苗移栽。
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