[发明专利]用于有机场效应晶体管的二酮吡咯并吡咯聚合物有效

专利信息
申请号: 201610943823.7 申请日: 2009-10-21
公开(公告)号: CN107099023B 公开(公告)日: 2019-10-22
发明(设计)人: M·迪格利;M·扎赫埃特伊施;P·哈约兹;O·F·埃比谢尔;M·丰罗多纳图龙;M·丰塔纳;M·兰兹;M·G·R·特比兹;B·施密德哈尔特;J-C·弗洛里斯 申请(专利权)人: 巴斯夫欧洲公司
主分类号: C08G61/12 分类号: C08G61/12;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 肖威;刘金辉
地址: 德国路*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及包含式I或III的重复单元的聚合物及其作为有机半导体在有机器件,尤其是有机场效应晶体管(OFET),或含有二极管和/或有机场效应晶体管的器件中的用途。本发明聚合物具有在有机溶剂中的优异溶解性和优异成膜性能。此外,当将本发明聚合物用于有机场效应晶体管时,可观察到高效的能量转化、优异的场效应迁移率、良好的开/关电流比和/或优异的稳定性。
搜索关键词: 有机场效应晶体管 发明聚合物 二酮吡咯并吡咯聚合物 场效应迁移率 有机半导体 二极管 成膜性能 能量转化 有机器件 有机溶剂 聚合物 电流比 可观察
【主权项】:
1.一种式的共聚物,其中:A为式的基团,COM1为式的基团,n为产生4,000‑2,000,000道尔顿的分子量的数,Ar1和Ar1’为式的基团,Ar2为下式的基团:X1和X2之一为N,且另一个为CH,且a为1‑5的整数R1和R2可相同或不同且选自H或C1‑C100烷基。
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