[发明专利]熔接结构有效
| 申请号： | 201610937309.2 | 申请日： | 2015-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN107116302B | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 久田幸平;川喜田笃史;中田征宏 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | B23K26/20 | 分类号： | B23K26/20;B23K26/08;B23K26/32;B23K101/18;B23K103/10;B23K103/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王艳江;侠晖霞 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种熔接结构，包括：熔接部，在熔接部中，多个金属工件的一部分被激光束熔化并且被熔接，其中，熔接部的在被激光束照射的一侧上的表面由主凹面和副凹面形成，其中，主凹面从熔接部的周缘朝向熔接部的中心凹进，副凹面在熔接部的中心附近从主凹面进一步凹进，并且熔接部的与副凹面对应的背面不是凹进的，或者是比副凹面浅的凹面。 | ||
| 搜索关键词： | 熔接 结构 | ||
【主权项】：
1.一种熔接结构，其特征在于包括：熔接部，在所述熔接部中，多个金属工件的一部分被激光束熔化并且被熔接，其中，所述熔接部的在被所述激光束照射的一侧上的表面由主凹面和副凹面形成，其中，所述主凹面从所述熔接部的周缘朝向所述熔接部的中心凹进，所述副凹面在所述熔接部的中心附近从所述主凹面进一步凹进，并且所述熔接部的与所述副凹面对应的背面不是凹进的，或者是比所述副凹面浅的凹面，以及其中，在所述熔接部中，柱状晶体结构延伸至所述熔接部的中心。
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