[发明专利]ICP刻蚀机台及其绝缘窗口薄膜加热器装置和温度控制方法有效
申请号: | 201610936885.5 | 申请日: | 2016-11-01 |
公开(公告)号: | CN108022852B | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 左涛涛;吴狄 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 周乃鑫 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开一种绝缘窗口薄膜加热器装置,该装置包含:设置于绝缘窗口顶部的电绝缘板,设置于电绝缘板上的粘结层,设置在粘结层上的薄膜加热器;薄膜加热器通过粘结层与电绝缘板固定形成一个加热模块,加热模块通过电绝缘板固定于绝缘窗口顶部。本发明的薄膜加热器通过粘结层固定在电绝缘板上形成整体,通过电绝缘板与绝缘窗口固定连接,便于薄膜加热器的拆装,简易了薄膜加热器与绝缘窗口的维护过程,节省人力和时间成本。 | ||
搜索关键词: | icp 刻蚀 机台 及其 绝缘 窗口 薄膜 加热器 装置 温度 控制 方法 | ||
【主权项】:
1.一种绝缘窗口薄膜加热器装置,其特征在于,该装置包含:设置于绝缘窗口顶部的电绝缘板,设置于电绝缘板上的粘结层,设置在粘结层上的薄膜加热器;所述薄膜加热器通过粘结层与电绝缘板固定形成一个加热模块,加热模块通过电绝缘板固定于绝缘窗口顶部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造