[发明专利]碳纳米管的表征方法有效
| 申请号： | 201610933463.2 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN108020572B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 李东琦;魏洋;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/2251 | 分类号： | G01N23/2251 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种碳纳米管表征方法，其包括以下步骤：提供一导电基底，该导电基底上设置一层绝缘层；在所述绝缘层上设置一碳纳米管结构；将碳纳米管结构放置在扫描电镜下，调整扫描电镜的加速电压为5～20千伏，驻留时间为6～20微秒，放大倍数为1万～10万倍，采用扫描电镜对所述碳纳米管结构拍摄照片；获得碳纳米管结构的照片，碳纳米管结构中的碳纳米管分布在照片衬底上。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 表征 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管的表征方法，其包括以下步骤：提供一导电基底，该导电基底上设置一层绝缘层；在所述绝缘层上设置一碳纳米管结构；将碳纳米管结构放置在扫描电镜下，调整扫描电镜的加速电压为5-20千伏，驻留时间为6-20微秒，放大倍数为1万-10万倍，采用扫描电镜对所述碳纳米管结构拍摄照片；以及获得碳纳米管结构的照片，碳纳米管结构中的碳纳米管分布在照片衬底上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司，未经清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610933463.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
