[发明专利]一种基于TiO2介观晶体的玉米赤霉烯酮光电化学检测方法

摘要

本发明公开一种基于TiO2介观晶体的玉米赤霉烯酮光电化学检测方法。该方法利用聚多巴胺敏化的金红石型TiO2介观晶体作为光电活性基底材料，并用于固定化玉米赤霉烯酮抗体；介孔四氧化三钴标记的玉米赤霉烯酮二抗作为信号探针，借助于该探针对基底材料的信号放大作用，制备一种基于夹心免疫识别模式的光电化学传感器，并应用于对玉米赤霉烯酮的定量检测。基于聚多巴胺的稳定性及优良导电性，其与RTM的复合材料能加快光生电子的转移速度并提高光电流信号;通过夹心免疫识别的过程，将具有竞争性捕光能力的OMCO引入到传感界面上。实现对玉米赤霉烯酮浓度在1×10‑6 ng/mL–20 ng/mL范围内的高灵敏检测。

主权项

1.一种基于TiO2介观晶体的玉米赤霉烯酮光电化学检测方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）玻碳电极（GCE）的预处理：GCE首先在铺有氧化铝粉末的麂皮上机械打磨抛光，用二次水洗去表面残留粉末，再移入超声水浴中清洗，直至清洗干净，最后依序用乙醇，稀酸和水彻底洗涤；（2）PDA/RTM/Ab1/ZEN/Ab2@OMCO修饰电极的制备：滴加4μL浓度为3mg/ml 的金红石型TiO2介观晶体（RTM）悬浮液于干净的玻碳电极表面，红外灯下烘干，冷却至室温，将电极浸入0.5 mg/ml聚多巴胺 (PDA)溶液中30 min，室温条件下晾干,即得到PDA/RTM 修饰电极；将修饰电极于5 μL浓度为2 mg/mL 的玉米赤霉烯酮抗体Ab1溶液中37°C下孵育1h，随后使用pH 7.5的磷酸缓冲溶液去除多余的玉米赤霉烯酮抗体Ab1，再将电极浸入20μL 浓度为1.0 wt.%的BSA 1 h，封闭电极表面上非特异性活性位点，冲去表面残余液后，即得到PDA/RTM/Ab1修饰电极；将电极浸入5 μL不同浓度的玉米赤霉烯酮（ZEN）标准溶液中于37°C下孵育1h；用pH 7.5的磷酸缓冲溶液冲洗电极表面并在室温条件下自然晾干，得到PDA/RTM/ Ab1/ZEN修饰电极；最后，在5 μL特定浓度的Ab2@OMCO溶液中孵育，洗去残余液后即得到PDA/RTM/Ab1/ZEN/Ab2@OMCO修饰电极；（3）玉米赤霉烯酮的检测：采用三电极体系进行测定，以PDA/RTM/Ab1/ZEN/Ab2@OMCO修饰电极为工作电极，Ag/AgCl为参比电极，铂丝电极为对电极，利用光电化学工作站进行检测，设置电压为‑0.1V，每隔10s进行开关灯，氙灯发射的单色光激发光源使用前由单色仪过滤；在pH 7.5的 PBS缓冲溶液中，通过光电化学工作站进行检测1×10‑6 ng/mL–20 ng/mL一系列不同浓度的玉米赤霉烯酮标准溶液，通过记录开关灯前后产生的不同电流信号，绘制工作曲线；待测样品溶液代替玉米赤霉烯酮标准溶液进行检测，检测的结果可通过工作曲线查得。