[发明专利]一种LED外延接触层生长方法

摘要

本申请公开了一种LED外延接触层生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN成核层、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂u‑GaN层、生长掺杂浓度稳定的n‑GaN层、生长多量子阱发光层、生长p型AlGaN层、生长高温p型GaN层、生长In_xGa_1‑xN:Zn/In_xGa_1‑xN:Mg接触层、降温冷却。如此方案，将LED外延最后的接触层设计为In_xGa_1‑xN:Zn/In_xGa_1‑xN:Mg结构，以匹配ZnO∶Al(AZO)透明导电薄膜电流扩展层，有效降低了接触电阻，从而有利于降低LED芯片的工作电压。

主权项

1.一种LED外延接触层生长方法，其特征在于，依次包括：处理衬底、生长低温GaN成核层、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂u‑GaN层、生长掺杂浓度稳定的n‑GaN层、生长多量子阱发光层、生长p型AlGaN层、生长高温p型GaN层、生长InxGa1‑xN:Zn/InxGa1‑xN:Mg结构接触层、降温冷却，其中：所述生长InxGa1‑xN:Zn/InxGa1‑xN:Mg结构接触层，进一步为：控制生长温度为850℃‑1050℃，生长压力为100Torr‑500Torr，通入300sccm‑600sccm的TEGa、900sccm‑1200sccm的TMIn、1000sccm‑1400sccm DMZn及30000sccm‑50000sccm的NH3，先生长厚度为1nm‑20nm的掺杂Zn的InxGa1‑xN层，X＝0‑1其中，Zn掺杂浓度为1E17atoms/cm3‑1E20atoms/cm3，In在In、Ga、N、Zn四种原子中所占的摩尔组分控制为3‑30％，形成InxGa1‑xN:Zn层；在生长完InxGa1‑xN:Zn层后，保持生长温度和生长压力不变，继续通入300sccm‑600sccm的TEGa、900sccm‑1200sccm的TMIn、30000sccm‑50000sccm的NH3及600sccm‑1000sccm CP2Mg接着生长厚度为1nm‑10nm的掺杂Mg的InxGa1‑xN层，X＝0‑1，其中，Mg的掺杂浓度为1E19atoms/cm3‑1E22atoms/cm3，In在In、Ga、N、Mg四种原子中所占的摩尔组分控制为3‑30％，形成InxGa1‑xN:Mg层。