[发明专利]一种压电双极型晶体管有效
| 申请号： | 201610853624.7 | 申请日： | 2016-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN106328802B | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 张岩;赵子铭 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L41/113 | 分类号： | H01L41/113;H01L29/73;H01L29/20;H01L29/22;H01L29/24;H01L29/36 |
| 代理公司： | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人： | 李蕊 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种压电双极型晶体管，其包括依次设置在半导体基板上的为n型的发射区、为p型的基区和为n型的集电区；基区为压电半导体，发射区的掺杂浓度高于基区的掺杂浓度；基区与集电区之间形成有一npn结或pnp结；该压电双极型晶体管采用npn结或pnp结的结构，与现有技术中压电半导体pn结相比，能够在相同的应变下产生更大的电流增益，进而增大其信号的输出，从而大幅度提高应变传感灵敏度，可提高3到4个量级，或在同比灵敏度下大幅降低器件功耗，降低3‑4个量级；其基区为压电半导体，可通过向压电半导体施加外界应变力，在基区产生压电电荷，调控基区集电结多子空穴的浓度，增大晶体管的输出电流的变化，进而提高可控电流的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压电 双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种压电双极型晶体管，其特征在于：包括依次设置在半导体基板上的为n型的发射区、为p型的基区和为n型的集电区；所述基区为压电半导体，所述发射区的掺杂浓度高于所述基区的掺杂浓度；所述基区与集电区之间的形成有一pn结或np结。
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