[发明专利]一种SiO2/Sb类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用

摘要

本发明涉及纳米材料技术领域，涉及一种SiO₂/Sb类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用。本发明的材料包括二氧化硅薄膜材料和单质锑薄膜材料，二者通过磁控溅射法进行纳米量级的交替叠加。本发明的材料的结构通式为[SiO₂(a)/Sb(b)]_x，其中：a表示单层SiO₂薄膜的厚度(nm)，并且1≤a≤9；b表示单层Sb薄膜的厚度(nm)，并且1≤b≤8；x表示单层SiO₂薄膜和单层Sb薄膜的交替周期数，并且x为任一正整数。本发明的SiO₂/Sb类超晶格纳米相变薄膜材料具有较快的相变速度、较好的热稳定性以及较低的操作功耗，适合于制备高速、高稳定性、低功耗相变存储器，极具市场前景。

主权项

1.一种SiO2/Sb类超晶格纳米相变薄膜材料，其包括二氧化硅薄膜材料和单质锑薄膜材料，二者通过交替叠加形成类超晶格结构；所述SiO2/Sb类超晶格纳米相变薄膜材料的结构通式为[SiO2(a)/Sb(b)]x，其中：a表示单层SiO2薄膜材料的厚度，单位为nm，并且1≤a≤9；b表示单层Sb薄膜材料的厚度，单位为nm，并且1≤b≤8；x表示单层SiO2薄膜材料和单层Sb薄膜材料的交替周期数，并且x为任一正整数。