[发明专利]一种中子产生靶在审

专利信息
申请号: 201610828224.0 申请日: 2016-09-18
公开(公告)号: CN106385757A 公开(公告)日: 2017-02-08
发明(设计)人: 王宏伟;胡瑞荣;曹云;林作康;黄建平;张桂林;蔡翔舟;陈金根;刘龙祥 申请(专利权)人: 中国科学院上海应用物理研究所
主分类号: H05H6/00 分类号: H05H6/00;H05H3/06
代理公司: 上海智信专利代理有限公司31002 代理人: 邓琪
地址: 201800 上*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种中子产生靶,包括位于真空中的靶体,其还包括用于检测靶体温度的温度传感器以及冷却系统,以基于该温度传感器检测到的靶体温度监控靶体入射表面束斑位置和/或靶体温度。本发明通过用于检测靶体入射表面上一点或多点温度的温度传感器检测入射表面上一点或多点的温度,通过入射表面上一点或多点的温度的变化判断束斑位置并加以控制,从而实现束斑监控的功能;可以通过用于检测靶体上各点温度的温度传感器检测靶体上各点的温度,通过靶体上各点的温度的大小判断靶体温度是否超限并加以控制,从而实现温度监控的功能。本发明提供的中子产生靶可用于产生中子,同时还具有束斑监控和温度监控的功能。此外,还具有靶体冷却功能。
搜索关键词: 一种 中子 产生
【主权项】:
一种中子产生靶,包括位于真空中的靶体,其特征在于,还包括:用于检测靶体温度的温度传感器,以基于该温度传感器检测到的靶体温度监控靶体入射表面束斑位置和/或靶体温度;用于冷却所述靶体的冷却系统,其与所述靶体连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海应用物理研究所,未经中国科学院上海应用物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610828224.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top