[发明专利]一种银纳米线膜图案的制备方法、显示基板及显示装置在审
申请号: | 201610827967.6 | 申请日: | 2016-09-18 |
公开(公告)号: | CN106356298A | 公开(公告)日: | 2017-01-25 |
发明(设计)人: | 陶国胜;李阳;刘晓佳;张成明;王雷;邓亮 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/3213 | 分类号: | H01L21/3213;B82Y30/00 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司11444 | 代理人: | 王刚,龚敏 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种银纳米线膜图案的制备方法、显示基板及显示装置,其中,制备方法包括以下步骤(1)在预设衬底的表面形成银纳米线膜;(2)在所述银纳米线膜的表面上形成感光性干膜,采用曝光、显影的方法将所述感光性干膜图案化,所述图案化的感光性干膜暴露出部分所述的银纳米线膜;(3)去除所述暴露出的部分银纳米线膜以形成所述银纳米线膜的图案;(4)从所述银纳米线膜上剥除所述感光性干膜即制得所述的银纳米线膜图案;该方法通过采用感光性干膜替代传统的光刻胶,能有效避免图形化过程中光刻胶渗透到银纳米线缝隙中,顺利实现图形化。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 图案 制备 方法 显示 显示装置 | ||
【主权项】:
一种银纳米线膜图案的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)在预设衬底的表面形成银纳米线膜;(2)在所述银纳米线膜的表面上形成感光性干膜,采用曝光、显影的方法将所述感光性干膜图案化,所述图案化的感光性干膜暴露出部分所述的银纳米线膜;(3)去除所述暴露出的部分银纳米线膜以形成所述银纳米线膜的图案;(4)从所述银纳米线膜上剥除所述感光性干膜即制得所述的银纳米线膜图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造