[发明专利]一种实现栅极驱动电路的系统和方法有效
申请号: | 201610824811.2 | 申请日: | 2016-09-14 |
公开(公告)号: | CN106357099B | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | 姚超;张允超;赵时峰;方烈义 | 申请(专利权)人: | 昂宝电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;H02M1/44 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 孙洋 |
地址: | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种实现栅极驱动电路的系统和方法。提供了一种实现栅极驱动电路的系统,包括:驱动芯片,驱动芯片包括:前置驱动器,第一高边驱动管和第二高边驱动管,其中第一高边驱动管驱动能力大于第二高边驱动管的驱动能力,高边延时组件,高边延时组件连接到第一高边驱动管;第一低边驱动管和第二低边驱动管,其中第一低边驱动管的驱动能力大于第二低边驱动管的驱动能力,以及低边延时组件,低边延时组件连接到第一低边驱动管;以及MOS功率级,MOS功率级包括MNO管。 | ||
搜索关键词: | 一种 实现 栅极 驱动 电路 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种实现栅极驱动电路的系统,包括:驱动芯片,所述驱动芯片包括前置驱动器,第一高边驱动管和第二高边驱动管,其中所述第一高边驱动管驱动能力大于所述第二高边驱动管的驱动能力,高边延时组件,所述高边延时组件连接到所述第一高边驱动管;第一低边驱动管和第二低边驱动管,其中所述第一低边驱动管的驱动能力大于所述第二低边驱动管的驱动能力,以及低边延时组件,所述低边延时组件连接到所述第一低边驱动管;以及MOS功率级,所述MOS功率级包括MN0管;其中在控制所述MN0管开启的过程中,所述前置驱动器被配置为生成第一驱动信号来使所述第二高边驱动管导通,从而所述第二高边驱动管先导通来以第一电流驱动MN0管,直到第一米勒平台结束所述第一高边驱动管才导通,以第二电流驱动所述MN0管开启,其中所述第一电流的幅度小于所述第二电流的幅度;并且其中在控制所述MN0管关断的过程中,所述前置驱动器被配置为生成第二驱动信号来使所述第二低边驱动管导通,从而第二低边驱动管先导通,以第三电流驱动所述MN0管直到第二米勒平台结束,所述第一低边驱动管才导通,以第四电流驱动所述MN0管关断,其中所述第三电流的幅度小于所述第四电流的幅度,其中所述驱动芯片还包括:第一栅极阈值检测比较器,被配置为检测所述第一米勒平台低阈值并且生成第一感测信号,其中所述第一感测信号经所述高边延时组件延迟并与所述第一驱动信号进行相与处理以生成用于驱动所述第一高边驱动管的驱动信号;以及第二栅极阈值检测比较器,被配置为检测所述第二米勒平台的高阈值并且生成第二感测信号,其中所述第二感测信号经所述低边延时组件延迟并与所述第二驱动信号进行相与处理以生成驱动所述第一低边驱动管的信号。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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