[发明专利]一种通过相移曝光和电化学修饰制备高频印制电路板的方法有效

专利信息
申请号: 201610797715.3 申请日: 2016-08-31
公开(公告)号: CN106376183B 公开(公告)日: 2019-02-26
发明(设计)人: 吴子坚;程静;林灿荣;张卫 申请(专利权)人: 广东成德电子科技股份有限公司
主分类号: H05K3/06 分类号: H05K3/06;H05K3/00
代理公司: 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 代理人: 李嘉怡
地址: 528300 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种通过相移曝光和电化学修饰制备高频印制电路板的方法,相移曝光的参数为:transmit为8.175%,phase shift 180°,I:G:H=0.5:0.25:0.25,NA为0.083,defocus为0,sigma为1.0;相移曝光条件为沉淀膜AI/Mo‑2600/800为0.1nm,涂胶厚度为1.5μm,照度为6000Mw.mm/cm2;电化学修饰过程中,施镀的电流为0.325A/dm2、电压为0.340V。相移曝光法是较合适细线量化使用的,它降低了曝光能量,提高了曝光速度。之外我们在传统蚀刻后,增加了电化学修饰,通过电化学修饰,线条边缘更加平直,表铜面和孔铜面的粗糙度小了几个数量级,且阻抗值分布更加均匀,变差很小,完全适合于超高频板的制作。
搜索关键词: 一种 通过 相移 曝光 电化学 修饰 制备 高频 印制 电路板 方法
【主权项】:
1.一种通过相移曝光和电化学修饰制备高频印制电路板的方法,相移曝光的参数为:transmit为8.175%,phase shift 180°,I:G:H=0.5:0.25:0.25,NA为0.083,defocus为0,sigma为1.0;相移曝光条件为沉淀膜AI/Mo‑2600/800为0.1nm,涂胶厚度为1.5μm,照度为6000Mw/cm2;电化学修饰过程中,施镀的电流为0.325A/dm2、电压为0.340V。
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