[发明专利]一种用于倒装红外发光二极管的外延片在审
| 申请号： | 201610752785.7 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106299058A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 田海军;林鸿亮;赵宇;石峰;杨凯;张双翔 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/30 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种用于倒装红外发光二极管的外延片，属于发光二极管的外延技术领域，在衬底同一侧依次外延层，有源层包括呈周期交替的InGaAs量子阱层和GaAsP垒层，所述周期数为2～6在有源层采用InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱结构，采用应变补偿量子阱可抑制载流子的横向流动到位错形成非辐射复合，从而提高了量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 倒装 红外 发光二极管 外延 | ||
【主权项】：
一种用于倒装红外发光二极管的外延片，在衬底同一侧依次外延设置n‑GaAs缓冲层、n‑GaInP腐蚀截止层、n‑GaAs接触层、n‑AlxGa1‑xAs电流扩展层、n‑AlxGa1‑xAs下限制层、AlxGa1‑xAs下波导层、有源层、AlxGa1‑xAs上波导层、p‑AlxGa1‑xAs上限制层、p‑AlxGa1‑xAs电流扩展层和p‑GaAs 覆盖层，其特征在于所述有源层包括呈周期交替的InGaAs量子阱层和GaAsP垒层，所述周期数为2～6。
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