[发明专利]MEMS器件三维封装互连材料有效
| 申请号： | 201610750805.7 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN106271183B | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 张亮;刘志权;郭永环;钟素娟 | 申请（专利权）人： | 江苏师范大学 |
| 主分类号： | B23K35/26 | 分类号： | B23K35/26 |
| 代理公司： | 徐州市三联专利事务所 32220 | 代理人： | 周爱芳 |
| 地址： | 221116 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了MEMS器件三维封装互连材料，属于MEMS互连材料领域。该互连材料的纳米PrSn3含量为0.05～0.5％，纳米Cu6Sn5含量为0.5～1.5％，亚微米Cu颗粒含量为0.05～0.5％，Ag纳米线为0.5～2.0％，Bi含量为40～60％，其余为Sn。使用纳米PrSn3颗粒、纳米Cu6Sn5颗粒、亚微米Cu颗粒，Ag纳米线，预先将Sn/Bi粉末混合均匀，添加钎剂混合，制备膏状的互连材料，然后加入亚微米Cu颗粒和Ag纳米线，最后添加纳米PrSn3颗粒、纳米Cu6Sn5颗粒。采用高能超声搅拌制备成焊膏使用。本互连材料具有较低的低熔点和较高的性能，可用于MEMS器件的互连。 | ||
| 搜索关键词： | 互连材料 纳米线 三维封装 制备 粉末混合 高能超声 低熔点 膏状 焊膏 互连 可用 钎剂 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS器件三维封装互连材料，其特征在于：其成分及质量百分比为：纳米PrSn3含量为0.05～0.5％，纳米Cu6Sn5含量为0.5～1.5％，亚微米Cu颗粒含量为0.05～0.5％，Ag纳米线为0.5～2.0％，Bi含量为40～60％，其余为Sn。
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