[发明专利]具有有效且高效设计的背接触太阳能电池及相对应的图案化工艺

摘要

本发明涉及具有有效且高效设计的背接触太阳能电池及相对应的图案化工艺。单独或组合使用基于激光的工艺以有效地处理半导体的掺杂域和/或电流采集结构。举例来说，可使用激光束将掺杂剂从裸露的硅/锗表面驱入硅/锗半导体层中。已发现深触点可有效产生高效太阳能电池。可有效地图案化电介质层以在集电器与沿半导体表面的掺杂域之间提供所选触点。快速处理方法适于高效生产工艺。

主权项

一种沿所选图案掺杂半导体的方法，所述方法包含：沿表面在多个所选位置处以脉冲方式输送能量束以在所述所选位置处将第一掺杂剂从掺杂剂源驱入半导体层中以形成第一掺杂域，其中所述掺杂剂源是以实质上覆盖所述半导体层的层形式来形成；移除所述第一掺杂剂源；沉积包含第二掺杂剂的第二掺杂剂源以实质上覆盖所述半导体层；及沿表面在多个所选位置处以脉冲方式输送能量束以在所述所选位置处将所述第二掺杂剂驱入半导体层中以形成第二掺杂域。